BSZ160N10NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON

Número de pieza NOVA:

312-2282672-BSZ160N10NS3GATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSZ160N10NS3GATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Número de producto base	BSZ160
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	8A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 12µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1700 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 63W (Tc)
Otros nombres	BSZ160N10NS3 GINTR-ND BSZ160N10NS3 G-ND BSZ160N10NS3 GINDKR-ND BSZ160N10NS3GATMA1CT BSZ160N10NS3 GINCT-ND BSZ160N10NS3G BSZ160N10NS3 GINDKR SP000482390 BSZ160N10NS3 GINTR BSZ160N10NS3 G BSZ160N10NS3GATMA1DKR BSZ160N10NS3GATMA1TR BSZ160N10NS3 GINCT