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P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | VESM | |
Número de producto base | SSM3J15 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | π-MOSVI | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.7V @ 100µA | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | SOT-723 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9.1 pF @ 3 V | |
Disipación de energía (máx.) | 150mW (Ta) | |
Otros nombres | SSM3J15FV,L3F(B SSM3J15FV,L3F(T SSM3J15FVL3FTR SSM3J15FVL3FCT SSM3J15FVL3FDKR |
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