SI3456DDV-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

Número de pieza NOVA:

312-2281873-SI3456DDV-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI3456DDV-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSOP
Número de producto base	SI3456
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	6.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	325 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Otros nombres	SI3456DDV-T1-GE3CT SI3456DDV-T1-GE3DKR SI3456DDV-T1-GE3TR SI3456DDVT1GE3