IPB200N25N3GATMA1

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MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK

Número de pieza NOVA:

312-2283596-IPB200N25N3GATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB200N25N3GATMA1

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Número de producto base	IPB200
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7100 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Otros nombres	IPB200N25N3GATMA1TR IPB200N25N3 G IPB200N25N3 GDKR-ND IPB200N25N3 GDKR IPB200N25N3 GTR-ND SP000677896 IPB200N25N3 GCT-ND IPB200N25N3G IPB200N25N3 GCT IPB200N25N3GATMA1CT IPB200N25N3 G-ND IPB200N25N3GATMA1DKR IPB200N25N3 GTR