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IPI032N06N3GE8214AKSA1
MOSFET N-CH 60V TO262-3
Número de pieza NOVA:
312-2342451-IPI032N06N3GE8214AKSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPI032N06N3GE8214AKSA1
Embalaje estándar:
500
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N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO262-3-1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 118µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13000 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 188W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPI032N06N3GE8214AKSA1 SP001605816 |
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