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CSD19501KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Número de pieza NOVA:
312-2288996-CSD19501KCS
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD19501KCS
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 80 V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 | |
| Número de producto base | CSD19501 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3980 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 217W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-CSD19501KCS 296-37286-5 -296-37286-5-ND TEXTISCSD19501KCS CSD19501KCS-ND -296-37286-5 -CSD19501KCSINACTIVE-NDR |
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