Complete su formulario en el formulario y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible y le daremos el modelo cad.
N-Channel 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-4-3 | |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | CoolSiC™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 16.7A, 18V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.7V @ 5mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-247-4 | |
Vgs (Máx.) | +20V, -2V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 930 pF @ 400 V | |
Disipación de energía (máx.) | 133W (Tc) | |
Otros nombres | 448-IMZA65R057M1HXKSA1 |
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.