IPB180N08S402ATMA1

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MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Número de pieza NOVA:

312-2264377-IPB180N08S402ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB180N08S402ATMA1

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 80 V 180A (Tc) 277W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-3
Número de producto base	IPB180
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 220µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	167 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	11550 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	277W (Tc)
Otros nombres	IPB180N08S402ATMA1DKR IPB180N08S402ATMA1TR SP000983458 IPB180N08S402ATMA1-ND IPB180N08S402ATMA1CT