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SI7792DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
Número de pieza NOVA:
312-2339800-SI7792DP-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7792DP-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 30 V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SI7792 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Función FET | Schottky Diode (Body) | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4.735 nF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
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