Aluminio
águila
Okad
Forro
Kikad
IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
Número de pieza NOVA:
312-2339794-IXTD4N80P-3J
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTD4N80P-3J
Embalaje estándar:
1
Formato de descarga disponible
Complete su formulario en el formulario y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible y le daremos el modelo cad.
N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount Die
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PolarHV™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.5V @ 100µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 14.2 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | Die | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 750 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 100W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.