SPD08P06PGBTMA1

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MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3

Número de pieza NOVA:

312-2282632-SPD08P06PGBTMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SPD08P06PGBTMA1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Número de producto base	SPD08P06
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	SIPMOS®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	8.83A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6.2V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	300mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	420 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	42W (Tc)
Otros nombres	SPD08P06PGBTMA1DKR SPD08P06PGINDKRINACTIVE SPD08P06PGINCT SP000096087 SPD08P06PG 2156-SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1CT SPD08P06PGINDKR SPD08P06PGINTR-ND SPD08P06P G INFINFSPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGINCT-ND SP000450534 SPD08P06PGINTR SPD08P06PGXT SPD08P06PGINDKR-ND SPD08P06PGINTRINACTIVE SPD08P06P G-ND SPD08P06PGBTMA1TR SPD08P06PGINCTINACTIVE