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CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Número de pieza NOVA:
312-2265236-CSD13302W
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD13302W
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DSBGA (1x1) | |
| Número de producto base | CSD13302 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 4-UFBGA, DSBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 862 pF @ 6 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta) | |
| Otros nombres | CSD13302W-ND 2156-CSD13302W TEXTISCSD13302W 296-48118-6 296-48118-1 296-48118-2 |
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