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IXTT16N10D2
MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Número de pieza NOVA:
312-2283887-IXTT16N10D2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTT16N10D2
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 16A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-268AA | |
| Número de producto base | IXTT16 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Depletion | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 8A, 0V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | - | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 225 nC @ 5 V | |
| Función FET | Depletion Mode | |
| Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 830W (Tc) | |
| Otros nombres | -IXTT16N10D2 |
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