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SCTH35N65G2V-7AG
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Número de pieza NOVA:
312-2299481-SCTH35N65G2V-7AG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SCTH35N65G2V-7AG
Embalaje estándar:
1,000
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N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H2PAK-7 | |
| Número de producto base | SCTH35 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 45A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.2V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 208W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-SCTH35N65G2V-7AGCT 497-SCTH35N65G2V-7AGTR 497-SCTH35N65G2V-7AGDKR |
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