SIB456DK-T1-GE3

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MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75

Número de pieza NOVA:

312-2285011-SIB456DK-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIB456DK-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 6.3A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-75-6
Número de producto base	SIB456
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	6.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	185mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SC-75-6
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	130 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
Otros nombres	SIB456DKT1GE3 SIB456DK-T1-GE3TR SIB456DK-T1-GE3CT SIB456DK-T1-GE3DKR