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P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 | |
Número de producto base | SSM6J214 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | U-MOSVI | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.2V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7.9 nC @ 4.5 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 | |
Vgs (Máx.) | ±12V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 560 pF @ 15 V | |
Disipación de energía (máx.) | 500mW (Ta) | |
Otros nombres | SSM6J214FE(TE85LFDKR SSM6J214FE(TE85LFTR SSM3K17FULF SSM6J214FE(TE85LFCT SSM3K17FULF(B |
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