TPW1R306PL,L1Q

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MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP

Número de pieza NOVA:

312-2282848-TPW1R306PL,L1Q

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

TPW1R306PL,L1Q

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-DSOP Advance
Número de producto base	TPW1R306
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSIX-H
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	260A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8100 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Otros nombres	TPW1R306PLL1QCT TPW1R306PLL1QDKR TPW1R306PLL1QTR TPW1R306PL,L1Q(M