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N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 | |
Número de producto base | VN10KN3 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 310mA (Tj) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60 pF @ 25 V | |
Disipación de energía (máx.) | 1W (Tc) | |
Otros nombres | VN10KN3-G-P002CT VN10KN3-G-P002DKR VN10KN3-G-P002TR VN10KN3-G-P002DKR-ND VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE VN10KN3-G-P002-ND |
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