IPD80R750P7ATMA1

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MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

Número de pieza NOVA:

312-2290484-IPD80R750P7ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPD80R750P7ATMA1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 800 V 7A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Número de producto base	IPD80R750
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ P7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 140µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	460 pF @ 500 V
Disipación de energía (máx.)	51W (Tc)
Otros nombres	IPD80R750P7ATMA1CT IPD80R750P7ATMA1TR ROCINFIPD80R750P7ATMA1 SP001644282 2156-IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1DKR