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IXFP8N65X2M
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Número de pieza NOVA:
312-2339799-IXFP8N65X2M
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFP8N65X2M
Embalaje estándar:
50
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N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 Isolated Tab | |
| Número de producto base | IXFP8N65 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 790 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) |
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