IPD60R180C7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2277263-IPD60R180C7ATMA1
Número de parte del fabricante:
IPD60R180C7ATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteInfineon Technologies
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Número de producto base IPD60R180
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieCoolMOS™ C7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 260µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1080 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.) 68W (Tc)
Otros nombres448-IPD60R180C7ATMA1TR
448-IPD60R180C7ATMA1DKR
448-IPD60R180C7ATMA1CT
2156-IPD60R180C7ATMA1
IFEINFIPD60R180C7ATMA1
IPD60R180C7ATMA1-ND
SP001277630

In stock Por favor contáctenos

Whatsapp

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.