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FCB125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2274221-FCB125N65S3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FCB125N65S3
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK-3 (TO-263-3) | |
| Número de producto base | FCB125 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SuperFET® III | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 24A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 590µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1940 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 181W (Tc) | |
| Otros nombres | 488-FCB125N65S3CT 488-FCB125N65S3TR 488-FCB125N65S3DKR |
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