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N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247N | |
Número de producto base | SCT3120 | |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 21A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.6V @ 3.33mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 38 nC @ 18 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-247-3 | |
Vgs (Máx.) | +22V, -4V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 460 pF @ 500 V | |
Disipación de energía (máx.) | 103W |
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