BUK755R4-100E127

N-CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza NOVA:
312-2296529-BUK755R4-100E127
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BUK755R4-100E127
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricantePhilips
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 11810 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 349W (Tc)
Otros nombresNEXPHIBUK755R4-100E127
2156-BUK755R4-100E127

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