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NVD5C688NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2290329-NVD5C688NLT4G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVD5C688NLT4G
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 60 V 17A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | NVD5C688 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 17A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 27.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 3.4 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 400 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 18W (Tc) | |
| Otros nombres | NVD5C688NLT4GOSTR NVD5C688NLT4GOSDKR NVD5C688NLT4GOSCT |
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