SI2315BDS-T1-E3

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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Número de pieza NOVA:

312-2280330-SI2315BDS-T1-E3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI2315BDS-T1-E3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

P-Channel 12 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número de producto base	SI2315
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	715 pF @ 6 V
Disipación de energía (máx.)	750mW (Ta)
Otros nombres	SI2315BDS-T1-E3TR SI2315BDST1E3 SI2315BDS-T1-E3CT SI2315BDS-T1-E3DKR