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N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 | |
Número de producto base | BS170 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 1mA | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 40 pF @ 10 V | |
Disipación de energía (máx.) | 830mW (Ta) | |
Otros nombres | BS170_D75ZTB-ND BS170-D75ZCT BS170-D75ZTB BS170D75Z BS170_D75ZCT BS170_D75ZCT-ND BS170_D75ZTB BS170_D75Z BS170_D75Z-ND |
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