SIJ186DP-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

Número de pieza NOVA:

312-2263327-SIJ186DP-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIJ186DP-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 60 V 23A (Ta), 79.4A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIJ186
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	23A (Ta), 79.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1710 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	5W (Ta), 57W (Tc)
Otros nombres	SIJ186DP-T1-GE3DKR SIJ186DP-T1-GE3CT SIJ186DP-T1-GE3TR