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PMV30XPAR
MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Número de pieza NOVA:
312-2284560-PMV30XPAR
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMV30XPAR
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 20 V 4.9A (Ta) 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB | |
| Número de producto base | PMV30 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.9A, 8V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1039 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 610mW (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Otros nombres | 934661108215 1727-PMV30XPARDKR 1727-PMV30XPARCT 1727-PMV30XPARTR |
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