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MVB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Número de pieza NOVA:
312-2339817-MVB50P03HDLT4G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
MVB50P03HDLT4G
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 30 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK | |
| Número de producto base | MVB50 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) |
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