SIA427DJ-T1-GE3

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MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6

Número de pieza NOVA:

312-2280699-SIA427DJ-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIA427DJ-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base	SIA427
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	800mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	50 nC @ 5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Máx.)	±5V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2300 pF @ 4 V
Disipación de energía (máx.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Otros nombres	SIA427DJ-T1-GE3TR SIA427DJT1GE3 SIA427DJ-T1-GE3CT SIA427DJ-T1-GE3DKR