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HAT2160H-EL-E
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Número de pieza NOVA:
312-2339872-HAT2160H-EL-E
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
HAT2160H-EL-E
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 20 V 60A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK | |
| Número de producto base | HAT2160 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.3V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 54 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7750 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 30W (Tc) | |
| Otros nombres | HAT2160H-EL-E-ND HAT2160H-EL-ECT HAT2160H-EL-ETR HAT2160H-EL-EDKR |
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