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NVD6416ANLT4G-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Número de pieza NOVA:
312-2339834-NVD6416ANLT4G-VF01
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVD6416ANLT4G-VF01
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK-3 | |
| Número de producto base | NVD6416 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 19A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 71W (Tc) | |
| Otros nombres | NVD6416ANLT4G-VF01-ND NVD6416ANLT4G-VF01OSDKR NVD6416ANLT4G-VF01OSCT NVD6416ANLT4G-VF01OSTR |
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