Aluminio
águila
Okad
Forro
Kikad
SQ4850EY-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Número de pieza NOVA:
312-2296117-SQ4850EY-T1_BE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQ4850EY-T1_BE3
Embalaje estándar:
2,500
Formato de descarga disponible
Complete su formulario en el formulario y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible y le daremos el modelo cad.
N-Channel 60 V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | SQ4850 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6A, 5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1250 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 6.8W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SQ4850EY-T1_BE3DKR SQ4850EY-T1 BE3 742-SQ4850EY-T1_BE3CT 742-SQ4850EY-T1_BE3TR 742-SQ4850EY-T1_BE3TR- |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
DMT6015LSS-13Diodes Incorporated
SQ4064EY-T1_GE3Vishay Siliconix
BAS70W-7-FDiodes Incorporated
MUR460-M3/73Vishay General Semiconductor - Diodes Division
CSD19501KCSTexas Instruments
FMMT718TADiodes Incorporated- SQ4850EY-T1_GE3Vishay Siliconix
