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2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2283997-2N7002ET1G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
2N7002ET1G
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número de producto base | 2N7002 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 240mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 0.81 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 26.7 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 300mW (Tj) | |
| Otros nombres | 2N7002ET1G-ND 2N7002ET1GOSDKR 2N7002ET1GOSCT 2156-2N7002ET1G 2N7002ET1GOSTR ONSONS2N7002ET1G |
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