BSS670S2LH6327XTSA1

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MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3

Número de pieza NOVA:

312-2274739-BSS670S2LH6327XTSA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSS670S2LH6327XTSA1

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Número de producto base	BSS670
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	540mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	650mOhm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 2.7µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	2.26 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	75 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	360mW (Ta)
Otros nombres	BSS670S2L H6327DKR BSS670S2L H6327CT BSS670S2LH6327XTSA1CT BSS670S2L H6327DKR-ND BSS670S2L H6327-ND BSS670S2LH6327XTSA1TR BSS670S2LH6327XTSA1DKR SP000928950 BSS670S2L H6327CT-ND BSS670S2L H6327TR-ND BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327