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SSM3K376R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Número de pieza NOVA:
312-2284332-SSM3K376R,LF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM3K376R,LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 30 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23F
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23F | |
| Número de producto base | SSM3K376 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-3 Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | +12V, -8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 200 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta) | |
| Otros nombres | SSM3K376RLFTR SSM3K376RLFDKR SSM3K376RLFCT SSM3K376R,LF(B |
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