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STD110N02RT4G
MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2339840-STD110N02RT4G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STD110N02RT4G
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 24 V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | STD11 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 32A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 24 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3440 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) | |
| Otros nombres | STD110N02RT4G-VF01OSTR ONSONSSTD110N02RT4G STD110N02RT4G-VF01 STD110N02RT4G-VF01OSDKR-ND STD110N02RT4G-ND STD110N02RT4G-VF STD110N02RT4G-VF01-ND STD110N02RT4G-VF01OSDKR STD110N02RT4GOSTR STD110N02RT4GOSDKR STD110N02RT4G-VF01OSCT STD110N02RT4G-VF01OSTR-ND STD110N02RT4GOSCT STD110N02RT4G-VF01OSCT-ND 2156-STD110N02RT4G |
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