IPB80P04P4L06ATMA2

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MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

Número de pieza NOVA:

312-2288508-IPB80P04P4L06ATMA2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB80P04P4L06ATMA2

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Número de producto base	IPB80P04
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS®-P2
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.2V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	104 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	+5V, -16V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6580 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	88W (Tc)
Otros nombres	448-IPB80P04P4L06ATMA2TR 448-IPB80P04P4L06ATMA2CT 448-IPB80P04P4L06ATMA2DKR SP002325754