SIR500DP-T1-RE3

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N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET

Número de pieza NOVA:

312-2278831-SIR500DP-T1-RE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIR500DP-T1-RE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 30 V 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	0.47mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	+16V, -12V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8960 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Otros nombres	742-SIR500DP-T1-RE3CT 742-SIR500DP-T1-RE3DKR 742-SIR500DP-T1-RE3TR