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FDB86366-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2297721-FDB86366-F085
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDB86366-F085
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 80 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número de producto base | FDB86366 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 112 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6280 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 176W (Tj) | |
| Otros nombres | FDB86366-F085CT FDB86366-F085DKR FDB86366_F085 2156-FDB86366-F085-OS ONSONSFDB86366-F085 FDB86366-F085TR FDB86366_F085CT-ND FDB86366_F085TR-ND FDB86366_F085-ND FDB86366_F085TR FDB86366_F085DKR-ND |
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