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N-Channel 75 V 100A (Tc) 333W (Tc) Through Hole I2PAK
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | I2PAK | |
Número de producto base | BUK7 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 142 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 75 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11659 pF @ 25 V | |
Disipación de energía (máx.) | 333W (Tc) | |
Otros nombres | BUK7E4R3-75C,127-ND BUK7E4R375C127 568-6630 NEXNXPBUK7E4R3-75C,127 934060123127 2156-BUK7E4R3-75C127-NX 568-6630-5 568-6630-ND |
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