IPD65R380E6

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Número de pieza NOVA:

312-2268442-IPD65R380E6

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPD65R380E6

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-313
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ E6
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	10.6A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 320µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	710 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	83W (Tc)
Otros nombres	INFINFIPD65R380E6 2156-IPD65R380E6

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