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A2T18S160W31SR3
IC TRANS RF LDMOS
Número de pieza NOVA:
308-2263067-A2T18S160W31SR3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
A2T18S160W31SR3
Embalaje estándar:
250
Hoja de datos técnicos:
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RF Mosfet LDMOS 28 V 1 A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780S-2L2LA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - RF | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | NI-780S-2L2LA | |
| Número de producto base | A2T18 | |
| Serie | - | |
| Ganar | 19.9dB | |
| Voltaje - Prueba | 28 V | |
| Figura de ruido | - | |
| Actual - Prueba | 1 A | |
| Salida de potencia | 32W | |
| Paquete / Caja | NI-780S-2L2LA | |
| Clasificación actual (amperios) | - | |
| Voltaje - Nominal | 65 V | |
| Frecuencia | 1.88GHz | |
| Tipo de transistor | LDMOS | |
| Otros nombres | 935316118128 |
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