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PTFA191001EV4XWSA1
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Número de pieza NOVA:
308-2260957-PTFA191001EV4XWSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PTFA191001EV4XWSA1
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
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RF Mosfet LDMOS 30 V 900 mA 1.96GHz 17dB 44dBm H-36248-2
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - RF | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H-36248-2 | |
| Número de producto base | PTFA191001 | |
| Serie | - | |
| Ganar | 17dB | |
| Voltaje - Prueba | 30 V | |
| Figura de ruido | - | |
| Actual - Prueba | 900 mA | |
| Salida de potencia | 44dBm | |
| Paquete / Caja | 2-Flatpack, Fin Leads | |
| Clasificación actual (amperios) | 10µA | |
| Voltaje - Nominal | 65 V | |
| Frecuencia | 1.96GHz | |
| Tipo de transistor | LDMOS | |
| Otros nombres | PTFA191001E V4 PTFA191001E V4-ND SP000317910 |
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