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PTFA261702E V1
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Número de pieza NOVA:
308-2260983-PTFA261702E V1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PTFA261702E V1
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
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RF Mosfet LDMOS 28 V 1.8 A 2.66GHz 15dB 170W H-30275-4
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - RF | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H-30275-4 | |
| Serie | - | |
| Ganar | 15dB | |
| Voltaje - Prueba | 28 V | |
| Figura de ruido | - | |
| Actual - Prueba | 1.8 A | |
| Salida de potencia | 170W | |
| Paquete / Caja | 2-Flatpack, Fin Leads | |
| Clasificación actual (amperios) | 10µA | |
| Voltaje - Nominal | 65 V | |
| Frecuencia | 2.66GHz | |
| Tipo de transistor | LDMOS | |
| Otros nombres | PTFA261702E V1-ND PTFA261702EV1 SP000407782 |
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