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SQ4282EY-T1_GE3
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
Número de pieza NOVA:
303-2247720-SQ4282EY-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQ4282EY-T1_GE3
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 3.9W Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | SQ4282 | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 47nC @ 10V | |
| Función FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2367pF @ 15V | |
| Potencia - Máx. | 3.9W | |
| Otros nombres | SQ4282EY-T1_GE3TR SQ4282EY-T1_GE3CT SQ4282EY-T1_GE3-ND SQ4282EY-T1_GE3DKR |
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