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SI7911DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Número de pieza NOVA:
303-2254122-SI7911DN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7911DN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.2A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Número de producto base | SI7911 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4.2A | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | |
| Función FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - | |
| Potencia - Máx. | 1.3W | |
| Otros nombres | SI7911DN-T1-GE3CT SI7911DN-T1-GE3TR SI7911DN-T1-GE3DKR SI7911DNT1GE3 |
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