FDC6561AN

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Número de pieza NOVA:

303-2251388-FDC6561AN

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDC6561AN

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SuperSOT™-6
Número de producto base	FDC6561
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie	PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	220pF @ 15V
Potencia - Máx.	700mW
Otros nombres	FDC6561ANDKR FDC6561ANCT FDC6561ANTR

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