SI9945BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Número de pieza NOVA:
303-2248151-SI9945BDY-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI9945BDY-T1-GE3
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Matrices
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
Número de producto base SI9945
Paquete / Caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SerieTrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 5.3A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 10V
Función FETLogic Level Gate
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 665pF @ 15V
Potencia - Máx. 3.1W
Otros nombresSI9945BDY-T1-GE3TR
SI9945BDY-T1-GE3CT
SI9945BDY-T1-GE3-ND
SI9945BDYT1GE3
SI9945BDY-T1-GE3DKR

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